G2304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G2304
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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G2304 Datasheet (PDF)
g2304.pdf
GOFORDG2304DDescription The 2304 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 3.630V 61 47 AG2304 High power and current handing capability Lead f
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Liste
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