G2304 Todos los transistores

 

G2304 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G2304

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm

Encapsulados: SOT23

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G2304 datasheet

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G2304

GOFORD G2304 D Description The 2304 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 4.5V (Typ) @ 10V (Typ) m m 3.6 30V 61 47 A G2304 High power and current handing capability Lead f

Otros transistores... G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , IRFB3607 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 .

 

 

 

 

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