G2304 Todos los transistores

 

G2304 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G2304
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.058 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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G2304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1575K  goford
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G2304

GOFORDG2304DDescription The 2304 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 3.630V 61 47 AG2304 High power and current handing capability Lead f

Otros transistores... G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , AON7506 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 .

History: SVD3205F | HAT2160N

 

 
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