G2304 - описание и поиск аналогов

 

G2304. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G2304

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для G2304

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2304 даташит

 ..1. Size:1575K  goford
 g2304.pdf pdf_icon

G2304

GOFORD G2304 D Description The 2304 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ 4.5V (Typ) @ 10V (Typ) m m 3.6 30V 61 47 A G2304 High power and current handing capability Lead f

Другие MOSFET... G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , IRFB3607 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 .

History: FDU6N25 | SSH15N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.