Справочник MOSFET. G2304

 

G2304 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2304
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для G2304

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2304 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1575K  goford
 g2304.pdf pdf_icon

G2304

GOFORDG2304DDescription The 2304 uses advanced trench technology to provide Gexcellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 3.630V 61 47 AG2304 High power and current handing capability Lead f

Другие MOSFET... G1008 , G2002 , G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , AON7506 , G2305 , G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.