G2502 Todos los transistores

 

G2502 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G2502
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

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Principales características: G2502

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G2502

GOFORD G2502 D Description The G2502 uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 250V 1 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , IRF530 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 .

 

 
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