G2502 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G2502  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO92

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G2502 datasheet

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G2502

GOFORD G2502 D Description The G2502 uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 250V 1 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... G2003, G2005, G2005K, G2009, G2009K, G20N20, G2304, G2305, 12N60, G2503, G100N03, G100N04, G10N10, G110N06, G120N04, G120N04A, G15P04