G2502 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G2502
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G2502

G2502 Datasheet (PDF)

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g2502.pdf

GOFORDG2502DDescription The G2502 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 250V 1 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: