G2502 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G2502
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO92
Búsqueda de reemplazo de G2502 MOSFET
G2502 Datasheet (PDF)
g2502.pdf

GOFORDG2502DDescription The G2502 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 250V 1 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current
Otros transistores... G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , AO4407 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 .
History: AUIRFSL3307Z | SWT47N65K | SIA444DJT | FQD13N06TF | SM3416 | AO4818B | BR2N7002LK2
History: AUIRFSL3307Z | SWT47N65K | SIA444DJT | FQD13N06TF | SM3416 | AO4818B | BR2N7002LK2



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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