G2502 Todos los transistores

 

G2502 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G2502
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

G2502 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1771K  goford
 g2502.pdf pdf_icon

G2502

GOFORDG2502DDescription The G2502 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features SSchematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 250V 1 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: YJQ40P03A | SGSP341 | SSM4502GM | FPF1C2P5BF07A | FQD20N06L | AOK160A60FDL | 24NM60G-TQ2-T

 

 
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