G2502 - описание и поиск аналогов

 

G2502. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G2502

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для G2502

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2502 даташит

 ..1. Size:1771K  goford
 g2502.pdf pdf_icon

G2502

GOFORD G2502 D Description The G2502 uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features S Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 250V 1 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G2003 , G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , IRF530 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 .

History: BRB80N08 | FY4ADJ-03A | FY4AEJ-03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.