G2503 Todos los transistores

 

G2503 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G2503

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO92

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G2503 datasheet

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G2503

GOFORD G2503 D Description The G2503 uses advanced trench technology and G design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. S General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ 10V (typ) 250V 1 3A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , CS150N03A8 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 .

History: STP8NA50 | STP9NA50 | STV40N05

 

 

 

 

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