Справочник MOSFET. G2503

 

G2503 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G2503
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для G2503

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G2503 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1741K  goford
 g2503.pdf pdf_icon

G2503

GOFORDG2503DDescription The G2503 uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @10V (typ) 250V 1 3A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... G2005 , G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , IRLB4132 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 .

History: SI7212DN | VBA5325 | 2N7002C1A | NCE50NF520 | LBSS139DW1T3G | BRCS015N04SZC

 

 
Back to Top

 


 
.