G100N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G100N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G100N03

G100N03 Datasheet (PDF)

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g100n03.pdf

GOFORD G100N03 Description The G100N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (Typ)30V 4m 100A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

8.1. Size:1134K goford
g100n04.pdf

GOFORDG100N04Description The G100N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 10040V 7 5.2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized ava

8.2. Size:955K oriental semi
sfg100n08kf.pdf