G100N03 Todos los transistores

 

G100N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G100N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 160 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de G100N03 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

G100N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1492K  goford
g100n03.pdf pdf_icon

G100N03

GOFORD G100N03 Description The G100N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (Typ)30V 4m 100A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 8.1. Size:1134K  goford
g100n04.pdf pdf_icon

G100N03

GOFORDG100N04Description The G100N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 10040V 7 5.2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized ava

 8.2. Size:955K  oriental semi
sfg100n08kf.pdf pdf_icon

G100N03

 8.3. Size:844K  oriental semi
sfg100n08gf.pdf pdf_icon

G100N03

Otros transistores... G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , IRFP450 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , G1816 .

History: SSF3615 | QM2520C1 | OSG65R580DF | 2N7002TESGP | AM2391P

 

 
Back to Top

 


 
.