Справочник MOSFET. G100N03

 

G100N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G100N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для G100N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G100N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1492K  goford
 g100n03.pdf pdf_icon

G100N03

GOFORD G100N03 Description The G100N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (Typ)30V 4m 100A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 8.1. Size:1134K  goford
 g100n04.pdf pdf_icon

G100N03

GOFORDG100N04Description The G100N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 10040V 7 5.2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized ava

 8.2. Size:955K  oriental semi
 sfg100n08kf.pdf pdf_icon

G100N03

 8.3. Size:844K  oriental semi
 sfg100n08gf.pdf pdf_icon

G100N03

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... G2005K , G2009 , G2009K , G20N20 , G2304 , G2305 , G2502 , G2503 , IRFP450 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , G1816 .

History: DMN3035LWN | IPD60R1K0PFD7S | GP1T160A120B | IRF6668 | HM2N10MR | AM3930N | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.