G100N04 Todos los transistores

 

G100N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G100N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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G100N04 Datasheet (PDF)

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G100N04

GOFORDG100N04Description The G100N04 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @ 10V (Typ)m m 10040V 7 5.2 A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized ava

 8.1. Size:1492K  goford
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G100N04

GOFORD G100N03 Description The G100N03 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (Typ)30V 4m 100A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

 8.2. Size:955K  oriental semi
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G100N04

 8.3. Size:844K  oriental semi
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History: LND2N60

 

 
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