G15P04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: G15P04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Encapsulados: TO252
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G15P04 datasheet
g15p04 to252.pdf
GOFORD G15P04 General Description The G15P04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as -4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-10V (Typ) @-4.5V -40V 50m 28 m -15 A Marking and pin Assignm
Otros transistores... G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , BS170 , G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 .
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