G15P04 Todos los transistores

 

G15P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G15P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de G15P04 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

G15P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  goford
 g15p04 to252.pdf pdf_icon

G15P04

GOFORD G15P04General Description The G15P04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as -4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-10V (Typ) @-4.5V -40V50m 28 m -15AMarking and pin Assignm

Otros transistores... G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , 18N50 , G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 .

History: STB11NM60 | UTT10N10 | KIA65R420 | AUIRF1018ES | 5N80 | FQP5N20L | BLV740

 

 
Back to Top

 


 
.