G15P04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: G15P04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 92 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET G15P04

G15P04 Datasheet (PDF)

..1. Size:902K goford
g15p04 to252.pdf

GOFORD G15P04General Description The G15P04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as -4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-10V (Typ) @-4.5V -40V50m 28 m -15AMarking and pin Assignm

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Liste

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