G15P04 - описание и поиск аналогов

 

G15P04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G15P04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для G15P04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G15P04 даташит

 ..1. Size:902K  goford
 g15p04 to252.pdf pdf_icon

G15P04

GOFORD G15P04 General Description The G15P04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as -4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-10V (Typ) @-4.5V -40V 50m 28 m -15 A Marking and pin Assignm

Другие MOSFET... G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , BS170 , G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 .

History: 2SK1225 | 2SK765A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.