Справочник MOSFET. G15P04

 

G15P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G15P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G15P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  goford
 g15p04 to252.pdf pdf_icon

G15P04

GOFORD G15P04General Description The G15P04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as -4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-10V (Typ) @-4.5V -40V50m 28 m -15AMarking and pin Assignm

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.