Справочник MOSFET. G15P04

 

G15P04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G15P04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для G15P04

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G15P04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:902K  goford
 g15p04 to252.pdf pdf_icon

G15P04

GOFORD G15P04General Description The G15P04 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)voltages as low as -4.5V. This device is suitable for use as a wide variety of applications. Schematic Diagram Features VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-10V (Typ) @-4.5V -40V50m 28 m -15AMarking and pin Assignm

Другие MOSFET... G2502 , G2503 , G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , 18N50 , G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 .

History: WML36N60F2 | DMG4N60SK3 | IRF7807APBF | SI7540DP | 2SK2666 | HFH18N50S | NCE65N230I

 

 
Back to Top

 


 
.