G1816 Todos los transistores

 

G1816 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G1816
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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G1816 Datasheet (PDF)

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G1816

GOFORDG1816DESCRIPTION DThe G1816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)G1816-18V37m 51m -4.8 A H

Otros transistores... G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , STF13NM60N , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 .

History: UTT60N06 | TSM4513DCS | IRFS532 | SL42N120A | AO5404E | SL19N120A | SE6020DB

 

 
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