G1816 Todos los transistores

 

G1816 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G1816

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: SOT23

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G1816 datasheet

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G1816

GOFORD G1816 DESCRIPTION D The G1816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) G1816 -18V 37m 51m -4.8 A H

Otros transistores... G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , IRFP250 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 .

 

 

 

 

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