Справочник MOSFET. G1816

 

G1816 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G1816
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для G1816

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1816 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1778K  goford
 g1816.pdf pdf_icon

G1816

GOFORDG1816DESCRIPTION DThe G1816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SGENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID(Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ)G1816-18V37m 51m -4.8 A H

Другие MOSFET... G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , STF13NM60N , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 .

History: CTLDM7003-M621 | SSM4575M

 

 
Back to Top

 


 
.