G1816 - описание и поиск аналогов

 

G1816. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G1816

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для G1816

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G1816 даташит

 ..1. Size:1778K  goford
 g1816.pdf pdf_icon

G1816

GOFORD G1816 DESCRIPTION D The G1816 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID (Typ) @-2.5V @-4.5V (Typ) G1816 -18V 37m 51m -4.8 A H

Другие MOSFET... G100N03 , G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , IRFP250 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.