G1825 Todos los transistores

 

G1825 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G1825
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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G1825 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1474K  goford
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G1825

GOFORDG1825Description DThe G1825 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. SGeneral Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @2.5V (Typ)18V15m 22m 5.5A

 0.1. Size:96K  renesas
 rej03g1825 rjk0392dpads.pdf pdf_icon

G1825

Preliminary Datasheet RJK0392DPA REJ03G1825-0230Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.30Power Switching Jun 17, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.7 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DC-

Otros transistores... G100N04 , G10N10 , G110N06 , G120N04 , G120N04A , G15P04 , G1815 , G1816 , P0903BDG , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 2301H .

History: HTD2K4P15T | NTJS4405NT1 | NCE85H21C | AOB409L | SHD225628 | HM1607D

 

 
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