Справочник MOSFET. G1825

 

G1825 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G1825
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G1825 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1474K  goford
 g1825.pdf pdf_icon

G1825

GOFORDG1825Description DThe G1825 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate Gvoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a battery protection or in other switching application. SGeneral Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @4.5V (Typ) @2.5V (Typ)18V15m 22m 5.5A

 0.1. Size:96K  renesas
 rej03g1825 rjk0392dpads.pdf pdf_icon

G1825

Preliminary Datasheet RJK0392DPA REJ03G1825-0230Silicon N Channel Power MOS FET Rev.2.30Power Switching Jun 17, 2010Features High speed switching Capable of 4.5 V gate drive Low drive current High density mounting Low on-resistance RDS(on) = 2.7 m typ. (at VGS = 10 V) Pb-free Halogen-free Outline RENESAS Package code: PWSN0008DC-

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK3458-S | SM4504NHKP | 2SK3572-Z | DMN2014LHAB | SIHF9530S | ELM17412GA | NVMFS6H848NL

 

 
Back to Top

 


 
.