2002A Todos los transistores

 

2002A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2002A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

2002A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2068K  goford
2002a.pdf pdf_icon

2002A

GOFORD2002ADescription uses advanced trench technology and The 2002ADdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features VDSS RDS(ON) ID S @10V (typ)Schematic diagram 200V 520m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 0.1. Size:114K  isahaya
inc2002a.pdf pdf_icon

2002A

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: P8008BDA | IRFN150SMD | SI4463BDY-T1 | OSG65R600FSF-NB | IRFP150NPBF | 2N6904 | NTTFS4H05NTAG

 

 
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