2002A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2002A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
- Selección de transistores por parámetros
2002A Datasheet (PDF)
2002a.pdf

GOFORD2002ADescription uses advanced trench technology and The 2002ADdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features VDSS RDS(ON) ID S @10V (typ)Schematic diagram 200V 520m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: P8008BDA | IRFN150SMD | SI4463BDY-T1 | OSG65R600FSF-NB | IRFP150NPBF | 2N6904 | NTTFS4H05NTAG
History: P8008BDA | IRFN150SMD | SI4463BDY-T1 | OSG65R600FSF-NB | IRFP150NPBF | 2N6904 | NTTFS4H05NTAG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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