2002A Todos los transistores

 

2002A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2002A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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2002A datasheet

 ..1. Size:2068K  goford
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2002A

GOFORD 2002A Description uses advanced trench technology and The 2002A D design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. G General Features VDSS RDS(ON) ID S @ 10V (typ) Schematic diagram 200V 520m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 0.1. Size:114K  isahaya
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2002A

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