2002A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2002A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23-6
Búsqueda de reemplazo de 2002A MOSFET
2002A Datasheet (PDF)
2002a.pdf
GOFORD2002ADescription uses advanced trench technology and The 2002ADdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features VDSS RDS(ON) ID S @10V (typ)Schematic diagram 200V 520m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre
Otros transistores... G120N04A , G15P04 , G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , SKD502T , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 2301H , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G .
History: AUIRFB3207 | PDC2604Z | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | RSD046P05
History: AUIRFB3207 | PDC2604Z | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | RSD046P05
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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