Справочник MOSFET. 2002A

 

2002A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2002A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для 2002A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2002A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2068K  goford
 2002a.pdf pdf_icon

2002A

GOFORD2002ADescription uses advanced trench technology and The 2002ADdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features VDSS RDS(ON) ID S @10V (typ)Schematic diagram 200V 520m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre

 0.1. Size:114K  isahaya
 inc2002a.pdf pdf_icon

2002A

Другие MOSFET... G120N04A , G15P04 , G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , SKD502T , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 2301H , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G .

History: NP82N04PUG | AUIRF8736M2TR | PT4606 | AONR34332C | MTP4835Q8 | IPD90N06S4-05

 

 
Back to Top

 


 
.