2002A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2002A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.58 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для 2002A
2002A Datasheet (PDF)
2002a.pdf
GOFORD2002ADescription uses advanced trench technology and The 2002ADdesign to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. GGeneral Features VDSS RDS(ON) ID S @10V (typ)Schematic diagram 200V 520m 2A High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and curre
Другие MOSFET... G120N04A , G15P04 , G1815 , G1816 , G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , SKD502T , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 2301H , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G .
History: FQP4N90 | 19N10G-TM3-T | GSM1330S | IRLU8726 | 14N50G-TF3-T | 12N80G-T47-T | SIHF6N65E
History: FQP4N90 | 19N10G-TM3-T | GSM1330S | IRLU8726 | 14N50G-TF3-T | 12N80G-T47-T | SIHF6N65E
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor | mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet