2301H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2301H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2301H

2301H Datasheet (PDF)

..1. Size:2066K goford
2301h.pdf

GOFORD 2301HDESCRIPTION D2The 2301H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S2GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @-4.5V -10V (Typ)m m -2-30V 105 65 A2301H

0.1. Size:592K jestek
jst2301h.pdf

JST2301H-20V,-3AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 110m @VGS=-4.5VRDS(ON) 140m @VGS=-2.5VAPPLICATIONSLoad Switch for Portable DevicesDC/DC ConverterMARKING P-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage V 12GSI -3DContinuous Drain CurrentAPulse

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: