2301H Todos los transistores

 

2301H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2301H

Código: 2301H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.9 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 12 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 75 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23

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2301H Datasheet (PDF)

1.1. 2301h.pdf Size:2066K _goford

2301H
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GOFORD 2301H DESCRIPTION D2 The 2301H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G2 voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S2 GENERAL FEATURES ● Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @ -4.5V -10V (Typ) mΩ mΩ -2 -30V 105 65 A 2301H

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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