2301H Todos los transistores

 

2301H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2301H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de 2301H MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2301H PDF Specs

 ..1. Size:2066K  goford
 2301h.pdf pdf_icon

2301H

... See More ⇒

 0.1. Size:592K  jestek
 jst2301h.pdf pdf_icon

2301H

JST2301H -20V,-3A P-Channel Mosfet FEATURES SOT-23 RDS(ON) 110m @VGS=-4.5V RDS(ON) 140m @VGS=-2.5V APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING P-CHANNEL MOSFET Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage V 12 GS I -3 D Continuous Drain Current A Pulse... See More ⇒

Otros transistores... G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 20N50 , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G , 28N10 , 28P55 , 30P10A , 30P55 .

History: DMN3112S

 

 
Back to Top

 


 
.