2301H - описание и поиск аналогов

 

2301H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2301H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для 2301H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2301H даташит

 ..1. Size:2066K  goford
 2301h.pdf pdf_icon

2301H

 0.1. Size:592K  jestek
 jst2301h.pdf pdf_icon

2301H

JST2301H -20V,-3A P-Channel Mosfet FEATURES SOT-23 RDS(ON) 110m @VGS=-4.5V RDS(ON) 140m @VGS=-2.5V APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter MARKING P-CHANNEL MOSFET Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage V 12 GS I -3 D Continuous Drain Current A Pulse

Другие MOSFET... G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 20N50 , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G , 28N10 , 28P55 , 30P10A , 30P55 .

History: 20P10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.