2301H - аналоги и даташиты транзистора

 

2301H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2301H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для 2301H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2301H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2066K  goford
 2301h.pdf pdf_icon

2301H

GOFORD 2301HDESCRIPTION D2The 2301H uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S2GENERAL FEATURES Schematic diagram VDSS RDS(ON) RDS(ON) ID @ (Typ) @-4.5V -10V (Typ)m m -2-30V 105 65 A2301H

 0.1. Size:592K  jestek
 jst2301h.pdf pdf_icon

2301H

JST2301H-20V,-3AP-Channel MosfetFEATURESSOT-23RDS(ON) 110m @VGS=-4.5VRDS(ON) 140m @VGS=-2.5VAPPLICATIONSLoad Switch for Portable DevicesDC/DC ConverterMARKING P-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage V 12GSI -3DContinuous Drain CurrentAPulse

Другие MOSFET... G1825 , 15P03 , 16N10 , 18N10 , 2002A , 20P10 , 21N06 , 22N10 , 2N60 , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G , 28N10 , 28P55 , 30P10A , 30P55 .

History: 10N60G-TF2-T | VN2406 | S-LNTK3043PT5G | 5N65AF | APT30M17JFLL | 12N06

 

 
Back to Top

 


 
.