28P55 Todos los transistores

 

28P55 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 28P55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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28P55 Datasheet (PDF)

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28P55

GOFORD28P55Description The 28P55 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-10V Schematic diagram -55V m -30A 30 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Otros transistores... 21N06 , 22N10 , 2301H , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G , 28N10 , K2611 , 30P10A , 30P55 , 3205PL , 3205TR , 3400L , 3401A , 3401L , 40N10K .

History: CEM6186 | STD40N2LH5 | IXTY2N60P | WFP2N60B | PE8A8BA | RFP8N20L | AK5N60S

 

 
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