28P55 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 28P55  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 28P55

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

28P55 даташит

 ..1. Size:1700K  goford
 28p55.pdf pdf_icon

28P55

GOFORD 28P55 Description The 28P55 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ) -10V Schematic diagram -55V m -30A 30 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие IGBT... 21N06, 22N10, 2301H, 2301L, 25P06, 25P10, 25P10G, 28N10, 8N60, 30P10A, 30P55, 3205PL, 3205TR, 3400L, 3401A, 3401L, 40N10K