Справочник MOSFET. 28P55

 

28P55 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: 28P55

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 30 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 15 ns

Выходная емкость (Cd): 240 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 28P55

 

 

28P55 Datasheet (PDF)

0.1. 28p55.pdf Size:1700K _goford

28P55
28P55

GOFORD28P55Description The 28P55 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-10V Schematic diagram -55V m -30A 30 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top