Справочник MOSFET. 28P55

 

28P55 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 28P55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 56 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

28P55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1700K  goford
 28p55.pdf pdf_icon

28P55

GOFORD28P55Description The 28P55 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-10V Schematic diagram -55V m -30A 30 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HGW059N12SL | UPA1772G | SSP65R260S2 | SVG042R1NL5 | WMQ023N03LG2 | ECH8410 | F11F60CPM

 

 
Back to Top

 


 
.