Справочник MOSFET. 28P55

 

28P55 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 28P55
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 28P55

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

28P55 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1700K  goford
 28p55.pdf pdf_icon

28P55

GOFORD28P55Description The 28P55 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-10V Schematic diagram -55V m -30A 30 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and current

Другие MOSFET... 21N06 , 22N10 , 2301H , 2301L , 25P06 , 25P10 , 25P10G , 28N10 , K2611 , 30P10A , 30P55 , 3205PL , 3205TR , 3400L , 3401A , 3401L , 40N10K .

History: CMUDM8001 | OSG60R320FT3ZF | HMS4110T | 2SK4067I | PA606BMG | 2SK2382 | HGW190N15S

 

 
Back to Top

 


 
.