45P40 Todos los transistores

 

45P40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 45P40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 551 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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45P40 Datasheet (PDF)

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45P40

GOFORD45P04Description The 45P40 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-10V m -50A-40V 9 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and c

Otros transistores... 30P55 , 3205PL , 3205TR , 3400L , 3401A , 3401L , 40N10K , 40P04 , IRF1405 , 50N03 , 5P40 , 60N04 , 6706A , 68P40 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR .

History: CTD03N003 | IRHMS597064 | CM8N80F | SM6A26NSF | SSM2310GN | AP4575GM-HF | TSF740MR

 

 
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