45P40 Todos los transistores

 

45P40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 45P40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 551 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: TO252

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45P40 datasheet

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45P40

GOFORD 45P04 Description The 45P40 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ (typ) -10V m -50A -40V 9 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and c

Otros transistores... 30P55 , 3205PL , 3205TR , 3400L , 3401A , 3401L , 40N10K , 40P04 , IRF830 , 50N03 , 5P40 , 60N04 , 6706A , 68P40 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR .

 

 

 

 

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