Справочник MOSFET. 45P40

 

45P40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 45P40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 551 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

45P40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1495K  goford
 45p40.pdf pdf_icon

45P40

GOFORD45P04Description The 45P40 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features Schematic diagram VDSS RDS(ON) ID @ (typ)-10V m -50A-40V 9 High density cell design for ultra low Rdson Fully characterized avalanche voltage and c

Другие MOSFET... 30P55 , 3205PL , 3205TR , 3400L , 3401A , 3401L , 40N10K , 40P04 , IRFZ48N , 50N03 , 5P40 , 60N04 , 6706A , 68P40 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.