68P40 Todos los transistores

 

68P40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 68P40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 684 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO252

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68P40 datasheet

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68P40

GOFORD 68P40 Description The 68P40 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (typ) m -70A -40V 7.5 68P40 High density cell design for ultra low Rdson OGFD Fully characterized avalanche

Otros transistores... 3401L , 40N10K , 40P04 , 45P40 , 50N03 , 5P40 , 60N04 , 6706A , K2611 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR , 8205A , 8205B , G3205 , G1010 , G3710 .

History: JCS10N70F | AJCS160N08I

 

 

 

 

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