68P40 Todos los transistores

 

68P40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 68P40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 684 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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68P40 Datasheet (PDF)

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68P40

GOFORD68P40Description The 68P40 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (typ)m -70A-40V 7.568P40 High density cell design for ultra low Rdson OGFD Fully characterized avalanche

Otros transistores... 3401L , 40N10K , 40P04 , 45P40 , 50N03 , 5P40 , 60N04 , 6706A , IRF9640 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR , 8205A , 8205B , G3205 , G1010 , G3710 .

History: ES4812 | HM607K | APT39F60J | FTK4435 | IPW50R350CP | QM2404D | BSL316C

 

 
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