68P40 - аналоги и даташиты транзистора

 

68P40 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 68P40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 106 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 684 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для 68P40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

68P40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1725K  goford
 68p40.pdf pdf_icon

68P40

GOFORD68P40Description The 68P40 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDSS RDS(ON) IDSchematic diagram @10V (typ)m -70A-40V 7.568P40 High density cell design for ultra low Rdson OGFD Fully characterized avalanche

Другие MOSFET... 3401L , 40N10K , 40P04 , 45P40 , 50N03 , 5P40 , 60N04 , 6706A , K2611 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR , 8205A , 8205B , G3205 , G1010 , G3710 .

 

 
Back to Top

 


 
.