68P40 - описание и поиск аналогов

 

68P40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 68P40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 684 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для 68P40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

68P40 даташит

 ..1. Size:1725K  goford
 68p40.pdf pdf_icon

68P40

GOFORD 68P40 Description The 68P40 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is well suited for high current load applications. General Features VDSS RDS(ON) ID Schematic diagram @ 10V (typ) m -70A -40V 7.5 68P40 High density cell design for ultra low Rdson OGFD Fully characterized avalanche

Другие MOSFET... 3401L , 40N10K , 40P04 , 45P40 , 50N03 , 5P40 , 60N04 , 6706A , K2611 , 80N03 , 80N04 , 80N08TR , 8205A , 8205B , G3205 , G1010 , G3710 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.