G10N80BF Todos los transistores

 

G10N80BF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G10N80BF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

G10N80BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1442K  goford
 g10n80bf.pdf pdf_icon

G10N80BF

GOFORDG10N80BFN-Channel MOSFET VDSS RDS(on)(Typ) ID (Max) 800V 0.8 10AApplications: ATX Power LCD Panel Power Features: G RoHS Compliant & Halogen Free DS TO-220F Low ON Resistance PackagesNot to Scale Low Gate Charge ESD Capability Improved Absolute Maximum Ratings Tc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter TO-220F UnitsVDSS Dra

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTH240N055T | 2SK4146-S19-AY | HM6N80K | 2SJ499 | 2SK1405 | FQP32N12V2 | KNU4820B

 

 
Back to Top

 


 
.