G10N80BF Todos los transistores

 

G10N80BF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: G10N80BF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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G10N80BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1442K  goford
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G10N80BF

GOFORDG10N80BFN-Channel MOSFET VDSS RDS(on)(Typ) ID (Max) 800V 0.8 10AApplications: ATX Power LCD Panel Power Features: G RoHS Compliant & Halogen Free DS TO-220F Low ON Resistance PackagesNot to Scale Low Gate Charge ESD Capability Improved Absolute Maximum Ratings Tc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter TO-220F UnitsVDSS Dra

Otros transistores... 10N65A , 10N65AF , 6N70F , 7N80F , 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , AON7408 , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D .

History: IXTH130N20T | 2SK1478 | IXFT12N100F | BRFL13N50 | CEF02N6G | 2SK65 | UTT25P10L-TQ2-T

 

 
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