Справочник MOSFET. G10N80BF

 

G10N80BF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G10N80BF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

G10N80BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1442K  goford
 g10n80bf.pdf pdf_icon

G10N80BF

GOFORDG10N80BFN-Channel MOSFET VDSS RDS(on)(Typ) ID (Max) 800V 0.8 10AApplications: ATX Power LCD Panel Power Features: G RoHS Compliant & Halogen Free DS TO-220F Low ON Resistance PackagesNot to Scale Low Gate Charge ESD Capability Improved Absolute Maximum Ratings Tc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter TO-220F UnitsVDSS Dra

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.