G10N80BF - описание и поиск аналогов

 

G10N80BF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: G10N80BF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для G10N80BF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G10N80BF даташит

 ..1. Size:1442K  goford
 g10n80bf.pdf pdf_icon

G10N80BF

GOFORD G10N80BF N-Channel MOSFET VDSS RDS(on)(Typ) ID (Max) 800V 0.8 10A Applications ATX Power LCD Panel Power Features G RoHS Compliant & Halogen Free DS TO-220F Low ON Resistance Packages Not to Scale Low Gate Charge ESD Capability Improved Absolute Maximum Ratings Tc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter TO-220F Units VDSS Dra

Другие MOSFET... 10N65A , 10N65AF , 6N70F , 7N80F , 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , IRFP250N , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D .

History: IXFR24N100 | SMK0460I

 

 

 

 

↑ Back to Top
.