Справочник MOSFET. G10N80BF

 

G10N80BF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: G10N80BF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для G10N80BF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

G10N80BF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1442K  goford
 g10n80bf.pdf pdf_icon

G10N80BF

GOFORDG10N80BFN-Channel MOSFET VDSS RDS(on)(Typ) ID (Max) 800V 0.8 10AApplications: ATX Power LCD Panel Power Features: G RoHS Compliant & Halogen Free DS TO-220F Low ON Resistance PackagesNot to Scale Low Gate Charge ESD Capability Improved Absolute Maximum Ratings Tc= 25 unless otherwise specified Symbol Parameter TO-220F UnitsVDSS Dra

Другие MOSFET... 10N65A , 10N65AF , 6N70F , 7N80F , 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , AON7408 , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D .

History: GSM2318A | IRFU010 | LSDN65R950HT

 

 
Back to Top

 


 
.