SVD4N65T Todos los transistores

 

SVD4N65T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVD4N65T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220-3L
 

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SVD4N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  silan
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SVD4N65T

SVD4N65T/SVD4N65F4A 650V N 2SVD4N65T/F N MOS S-RinTM VDMOS 1 3 1. 2. 3. AC-DC DC-DC H PMW 11 22 33TO-220F-3L TO-220-3L 4A 650V RDS(on) =2.3@VGS=10V dv/dt

Otros transistores... 7N80F , 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , 2N7000 , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 .

History: BL3N90E-D | TP2104K1

 

 
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