Справочник MOSFET. SVD4N65T

 

SVD4N65T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVD4N65T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220-3L
 

 Аналог (замена) для SVD4N65T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD4N65T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:354K  silan
 svd4n65t svd4n65f.pdf pdf_icon

SVD4N65T

SVD4N65T/SVD4N65F4A 650V N 2SVD4N65T/F N MOS S-RinTM VDMOS 1 3 1. 2. 3. AC-DC DC-DC H PMW 11 22 33TO-220F-3L TO-220-3L 4A 650V RDS(on) =2.3@VGS=10V dv/dt

Другие MOSFET... 7N80F , 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , 2N7000 , SVD4N65F , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 .

History: OSG60R108FZF | WFW13N50 | BSD235C | 2N5398 | PHB96NQ03LT | P0765JD

 

 
Back to Top

 


 
.