SVD4N65T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVD4N65T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.5 nC
Время нарастания (tr): 19.3 ns
Выходная емкость (Cd): 50 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: TO220-3L
SVD4N65T Datasheet (PDF)
..1. Size:354K silan
svd4n65t svd4n65f.pdf
svd4n65t svd4n65f.pdf
SVD4N65T/SVD4N65F4A 650V N 2SVD4N65T/F N MOS S-RinTM VDMOS 1 3 1. 2. 3. AC-DC DC-DC H PMW 11 22 33TO-220F-3L TO-220-3L 4A 650V RDS(on) =2.3@VGS=10V dv/dt
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
