SVD4N65F Todos los transistores

 

SVD4N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVD4N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO220F-3L

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SVD4N65F datasheet

 ..1. Size:354K  silan
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SVD4N65F

SVD4N65T/SVD4N65F 4A 650V N 2 SVD4N65T/F N MOS S-RinTM VDMOS 1 3 1. 2. 3. AC-DC DC-DC H PMW 1 1 2 2 3 3 TO-220F-3L TO-220-3L 4A 650V RDS(on) =2.3 @VGS=10V dv/dt

Otros transistores... 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , 2SK3878 , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , FTA10N40 .

History: 2SK1449 | STE38NB50 | WMN25N70EM | CS40N20FA9E | 2SK3919-ZK | STWA48N60M2 | 3N70G-TN3-T

 

 

 

 

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