SVD4N65F - описание и поиск аналогов

 

SVD4N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVD4N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220F-3L

Аналог (замена) для SVD4N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD4N65F даташит

 ..1. Size:354K  silan
 svd4n65t svd4n65f.pdf pdf_icon

SVD4N65F

SVD4N65T/SVD4N65F 4A 650V N 2 SVD4N65T/F N MOS S-RinTM VDMOS 1 3 1. 2. 3. AC-DC DC-DC H PMW 1 1 2 2 3 3 TO-220F-3L TO-220-3L 4A 650V RDS(on) =2.3 @VGS=10V dv/dt

Другие MOSFET... 18N50A , G4N65 , G7N65 , G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , 2SK3878 , SVD2N60M , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , FTA10N40 .

History: SM3439NHQA | 2SJ49 | WML15N60C4 | APM2317A | WMO7N65D1B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.