SVD2N60M Todos los transistores

 

SVD2N60M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVD2N60M
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251-3L
 

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SVD2N60M Datasheet (PDF)

 7.1. Size:603K  silan
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SVD2N60M

SVD2N60M/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior s

Otros transistores... G4N65 , G7N65 , G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , 12N60 , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , FTA10N40 , 2SK725 .

History: BLD6G21LS-50 | SUP90142E | 10N70L-TF1-T

 

 
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