SVD2N60M - описание и поиск аналогов

 

SVD2N60M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SVD2N60M

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.6 Ohm

Тип корпуса: TO251-3L

Аналог (замена) для SVD2N60M

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVD2N60M даташит

 7.1. Size:603K  silan
 svd2n60.pdf pdf_icon

SVD2N60M

SVD2N60M/F/T/D_Datasheet 2A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVD2N60M/F/T/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary S-RinTM structure VDMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior s

Другие MOSFET... G4N65 , G7N65 , G8N80BF , G10N80BF , 12N65A , 12N65AF , SVD4N65T , SVD4N65F , STP75NF75 , SVD2N60F , SVD2N60T , SVD2N60D , IPP15N03L , IPB15N03L , FTP10N40 , FTA10N40 , 2SK725 .

History: IRF9243 | SM1A18NSQG | SVF4N65F

 

 

 

 

↑ Back to Top
.