FTK03N10 Todos los transistores

 

FTK03N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK03N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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FTK03N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  first silicon
 ftk03n10.pdf pdf_icon

FTK03N10

SEMICONDUCTORFTK03N10TECHNICAL DATAN-Channel MOSFET ACHGDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_DESCRIPTIONB 2.50 0.20C 1.70 MAXDDD 0.45 0.15/-0.10KE 4.25 MAXThe FTK03N10 usesadvanced trench technology and design to _F F F 1.50 0.10G 0.40 TYPH 1.7 MAXprovide excellent RDS(ON) with low gate charge . J 0.7 MINK 0.5 0.15/-0.101 2 3This device is suitable f

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History: CEP80N15 | 2SJ477-01MR | DMTH10H005SCT | SSF3324 | BUK963R1-40E | PDMN66D0LDW | HSU4113

 

 
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