FTK03N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK03N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Encapsulados: SOT89
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FTK03N10 datasheet
ftk03n10.pdf
SEMICONDUCTOR FTK03N10 TECHNICAL DATA N-Channel MOSFET A C H G DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ DESCRIPTION B 2.50 0.20 C 1.70 MAX D D D 0.45 0.15/-0.10 K E 4.25 MAX The FTK03N10 usesadvanced trench technology and design to _ F F F 1.50 0.10 G 0.40 TYP H 1.7 MAX provide excellent RDS(ON) with low gate charge . J 0.7 MIN K 0.5 0.15/-0.10 1 2 3 This device is suitable f
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