Справочник MOSFET. FTK03N10

 

FTK03N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK03N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для FTK03N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK03N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  first silicon
 ftk03n10.pdf pdf_icon

FTK03N10

SEMICONDUCTORFTK03N10TECHNICAL DATAN-Channel MOSFET ACHGDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_DESCRIPTIONB 2.50 0.20C 1.70 MAXDDD 0.45 0.15/-0.10KE 4.25 MAXThe FTK03N10 usesadvanced trench technology and design to _F F F 1.50 0.10G 0.40 TYPH 1.7 MAXprovide excellent RDS(ON) with low gate charge . J 0.7 MINK 0.5 0.15/-0.101 2 3This device is suitable f

Другие MOSFET... 2SK3455B , 2SK3534-01MR , 2SK3674-01L , 2SK3674-01S , 2SK3674-01SJ , 2SK3899 , FTK9451 , FTK9452 , IRFP250 , FTK100N10P , FTK1013 , FTK1016 , FTK1090 , FTK10N10 , FTK10N60DD , FTK10N60F , FTK10N60P .

History: AOW2502 | IXFH60N20F

 

 
Back to Top

 


 
.