Справочник MOSFET. FTK03N10

 

FTK03N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK03N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK03N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:315K  first silicon
 ftk03n10.pdf pdf_icon

FTK03N10

SEMICONDUCTORFTK03N10TECHNICAL DATAN-Channel MOSFET ACHGDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_DESCRIPTIONB 2.50 0.20C 1.70 MAXDDD 0.45 0.15/-0.10KE 4.25 MAXThe FTK03N10 usesadvanced trench technology and design to _F F F 1.50 0.10G 0.40 TYPH 1.7 MAXprovide excellent RDS(ON) with low gate charge . J 0.7 MINK 0.5 0.15/-0.101 2 3This device is suitable f

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: APT6010B2FLL | WMJ38N60C2 | TP0610K | SQJB00EP | AO6804A | IXTA220N075T7 | SED4060G

 

 
Back to Top

 


 
.