FTK03N10 - описание и поиск аналогов

 

FTK03N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK03N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: SOT89

Аналог (замена) для FTK03N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK03N10 даташит

 ..1. Size:315K  first silicon
 ftk03n10.pdf pdf_icon

FTK03N10

SEMICONDUCTOR FTK03N10 TECHNICAL DATA N-Channel MOSFET A C H G DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ DESCRIPTION B 2.50 0.20 C 1.70 MAX D D D 0.45 0.15/-0.10 K E 4.25 MAX The FTK03N10 usesadvanced trench technology and design to _ F F F 1.50 0.10 G 0.40 TYP H 1.7 MAX provide excellent RDS(ON) with low gate charge . J 0.7 MIN K 0.5 0.15/-0.10 1 2 3 This device is suitable f

Другие MOSFET... 2SK3455B , 2SK3534-01MR , 2SK3674-01L , 2SK3674-01S , 2SK3674-01SJ , 2SK3899 , FTK9451 , FTK9452 , AON7506 , FTK100N10P , FTK1013 , FTK1016 , FTK1090 , FTK10N10 , FTK10N60DD , FTK10N60F , FTK10N60P .

History: KDD3670

 

 

 

 

↑ Back to Top
.