FTK9926 Todos los transistores

 

FTK9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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FTK9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2960K  first silicon
ftk9926.pdf pdf_icon

FTK9926

SEMICONDUCTOR FTK9926TECHNICAL DATAFEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance N-channel N-channel High power and current handing capability Schematic diagramD 2 D 2 D 1 D 1 Ideal for Liion battery pack applications 6 58 7Q99261 2 43S 2 G 2 G 1S 1Marking and pin AssignmentSOP-8 top viewPACKAGE MARKING AN

Otros transistores... FTK8822 , FTK8N65DD , FTK8N65F , FTK8N65P , FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , IRFZ24N , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , FTK8205A , FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D .

History: FTK80N08 | ME4542-G

 

 
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