FTK9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de FTK9926 MOSFET
FTK9926 Datasheet (PDF)
ftk9926.pdf

SEMICONDUCTOR FTK9926TECHNICAL DATAFEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance N-channel N-channel High power and current handing capability Schematic diagramD 2 D 2 D 1 D 1 Ideal for Liion battery pack applications 6 58 7Q99261 2 43S 2 G 2 G 1S 1Marking and pin AssignmentSOP-8 top viewPACKAGE MARKING AN
Otros transistores... FTK8822 , FTK8N65DD , FTK8N65F , FTK8N65P , FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , IRFZ24N , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , FTK8205A , FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D .
History: FTK80N08 | ME4542-G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
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