FTK9926 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK9926
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Encapsulados: SOP8
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FTK9926 datasheet
ftk9926.pdf
SEMICONDUCTOR FTK9926 TECHNICAL DATA FEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance N-channel N-channel High power and current handing capability Schematic diagram D 2 D 2 D 1 D 1 Ideal for Liion battery pack applications 6 5 8 7 Q9926 1 2 4 3 S 2 G 2 G 1 S 1 Marking and pin Assignment SOP-8 top view PACKAGE MARKING AN
Otros transistores... FTK8822 , FTK8N65DD , FTK8N65F , FTK8N65P , FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , STF13NM60N , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , FTK8205A , FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D .
History: 2SK3455B
History: 2SK3455B
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