Справочник MOSFET. FTK9926

 

FTK9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2960K  first silicon
 ftk9926.pdf pdf_icon

FTK9926

SEMICONDUCTOR FTK9926TECHNICAL DATAFEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance N-channel N-channel High power and current handing capability Schematic diagramD 2 D 2 D 1 D 1 Ideal for Liion battery pack applications 6 58 7Q99261 2 43S 2 G 2 G 1S 1Marking and pin AssignmentSOP-8 top viewPACKAGE MARKING AN

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A

 

 
Back to Top

 


 
.