Справочник MOSFET. FTK9926

 

FTK9926 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FTK9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для FTK9926

 

 

FTK9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2960K  first silicon
 ftk9926.pdf

FTK9926 FTK9926

SEMICONDUCTOR FTK9926TECHNICAL DATAFEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance N-channel N-channel High power and current handing capability Schematic diagramD 2 D 2 D 1 D 1 Ideal for Liion battery pack applications 6 58 7Q99261 2 43S 2 G 2 G 1S 1Marking and pin AssignmentSOP-8 top viewPACKAGE MARKING AN

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top