FTK8205A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK8205A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0275 Ohm
Paquete / Cubierta: TSSOP8
Búsqueda de reemplazo de FTK8205A MOSFET
FTK8205A Datasheet (PDF)
ftk8205a.pdf

SEMICONDUCTOR FTK8205ATECHNICAL DATAD 1D 2DESCRIPTION The FTK8205A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G 1 G 2with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S 1 S 2Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A D1 D2RD
Otros transistores... FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , AO3401 , FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D .
History: TDM31056 | NCE0224AK | IXFX24N90Q | CHM730GPAGP | BUK962R1-40E | ME4920 | RQK0302GGDQS
History: TDM31056 | NCE0224AK | IXFX24N90Q | CHM730GPAGP | BUK962R1-40E | ME4920 | RQK0302GGDQS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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