FTK8205A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FTK8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для FTK8205A
FTK8205A Datasheet (PDF)
ftk8205a.pdf

SEMICONDUCTOR FTK8205ATECHNICAL DATAD 1D 2DESCRIPTION The FTK8205A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G 1 G 2with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S 1 S 2Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A D1 D2RD
Другие MOSFET... FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , AO3401 , FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D .
History: S45N17R | HMS8N70D | IPB60R380C6 | RFL2N06L | NP88N055CLE | NCE0224F | KTJ6164S
History: S45N17R | HMS8N70D | IPB60R380C6 | RFL2N06L | NP88N055CLE | NCE0224F | KTJ6164S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882