Справочник MOSFET. FTK8205A

 

FTK8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK8205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
 

 Аналог (замена) для FTK8205A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  first silicon
 ftk8205a.pdf pdf_icon

FTK8205A

SEMICONDUCTOR FTK8205ATECHNICAL DATAD 1D 2DESCRIPTION The FTK8205A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G 1 G 2with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S 1 S 2Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A D1 D2RD

Другие MOSFET... FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , AO3401 , FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D .

History: AP4525GEH | FC8V22280L | HTD080P03 | AP40N03GS | OSG60R099HT3F | 2SK429S | BSC035N04LSG

 

 
Back to Top

 


 
.