Справочник MOSFET. FTK8205A

 

FTK8205A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK8205A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK8205A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:287K  first silicon
 ftk8205a.pdf pdf_icon

FTK8205A

SEMICONDUCTOR FTK8205ATECHNICAL DATAD 1D 2DESCRIPTION The FTK8205A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G 1 G 2with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S 1 S 2Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A D1 D2RD

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP0535A | LNH05R155

 

 
Back to Top

 


 
.