FTK8205A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FTK8205A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm
Тип корпуса: TSSOP8
Аналог (замена) для FTK8205A
FTK8205A Datasheet (PDF)
ftk8205a.pdf

SEMICONDUCTOR FTK8205ATECHNICAL DATAD 1D 2DESCRIPTION The FTK8205A uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G 1 G 2with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S 1 S 2Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = 20V,ID = 6A D1 D2RD
Другие MOSFET... FTK8N80DD , FTK8N80F , FTK8N80P , FTK9435 , FTK9926 , FTK80N03D , FTK80N08 , FTK80N10P , MMIS60R580P , FTK830P , FTK830F , FTK830I , FTK830D , FTK84 , FTK840P , FTK840F , FTK84D .
History: BLM3407A | FTK830P | ME4542-G
History: BLM3407A | FTK830P | ME4542-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP90N02NF | AP90N02D | AP8V06S | AP8P04S | AP8P04MI | AP8N10MI | AP8N06SI | AP8H06S | AP8H04S | AP8H04DF | AP8814A | AP85N04NF | AP8205S | AP8205A-21 | AP80P10D | AP50N20MP
Popular searches
2n5087 | ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882