FTK630P Todos los transistores

 

FTK630P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK630P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO220

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FTK630P datasheet

 ..1. Size:379K  first silicon
 ftk630 ftk630p f.pdf pdf_icon

FTK630P

SEMICONDUCTOR FTK630P / F TECHNICAL DATA MOSFET 9A, 200V, 0.4 , N-CHANNEL POWER MOSFETS P 1 DESCRIPTION TO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. F 1 TO-220F FEATURES * 9A, 200V, Low RDS(ON

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History: CJK1508 | 2SK2360-Z | 2SK1447

 

 

 

 

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