Справочник MOSFET. FTK630P

 

FTK630P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK630P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FTK630P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK630P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:379K  first silicon
 ftk630 ftk630p f.pdf pdf_icon

FTK630P

SEMICONDUCTORFTK630P / FTECHNICAL DATAMOSFET9A, 200V, 0.4 , N-CHANNELPOWER MOSFETSP :1DESCRIPTIONTO-220The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 9A, 200V, Low RDS(ON

Другие MOSFET... FTK7N65P , FTK7N65F , FTK7N65DD , FTK75N75 , FTK10N65DD , FTK10N65F , FTK10N65P , FTK123 , AO4468 , FTK630F , FTK7000 , FTK7002 , FTK7002D , FTK7002E , FTK7002EN , FTK7002K , FTK7002U .

History: OSG60R670PF | QM2605V | AP5331GM-HF | HUFA76443S3S | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.