FTK630F Todos los transistores

 

FTK630F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK630F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FTK630F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FTK630F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:379K  first silicon
ftk630 ftk630p f.pdf pdf_icon

FTK630F

SEMICONDUCTORFTK630P / FTECHNICAL DATAMOSFET9A, 200V, 0.4 , N-CHANNELPOWER MOSFETSP :1DESCRIPTIONTO-220The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 9A, 200V, Low RDS(ON

Otros transistores... FTK7N65F , FTK7N65DD , FTK75N75 , FTK10N65DD , FTK10N65F , FTK10N65P , FTK123 , FTK630P , IRFP064N , FTK7000 , FTK7002 , FTK7002D , FTK7002E , FTK7002EN , FTK7002K , FTK7002U , FTK70N06 .

 

 
Back to Top

 


FTK630F
  FTK630F
  FTK630F
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

c945 datasheet | irfp260 | ksc2383 | 2n3773 | b772 transistor | 50n06 | mje350 | 2n3866

 


 
.