FTK630F - описание и поиск аналогов

 

FTK630F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK630F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FTK630F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK630F даташит

 8.1. Size:379K  first silicon
 ftk630 ftk630p f.pdf pdf_icon

FTK630F

SEMICONDUCTOR FTK630P / F TECHNICAL DATA MOSFET 9A, 200V, 0.4 , N-CHANNEL POWER MOSFETS P 1 DESCRIPTION TO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. F 1 TO-220F FEATURES * 9A, 200V, Low RDS(ON

Другие MOSFET... FTK7N65F , FTK7N65DD , FTK75N75 , FTK10N65DD , FTK10N65F , FTK10N65P , FTK123 , FTK630P , IRFP064N , FTK7000 , FTK7002 , FTK7002D , FTK7002E , FTK7002EN , FTK7002K , FTK7002U , FTK70N06 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.