FTK730F Todos los transistores

 

FTK730F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK730F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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FTK730F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:391K  first silicon
 ftk730p f.pdf pdf_icon

FTK730F

SEMICONDUCTORFTK730P / FTECHNICAL DATAMOSFET6A, 400V, 1.0 OHM,N-CHANNEL POWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220The FTK730 power MOSFET is designed for high voltage, highspeed power switching applications such as switching powersuppliess, switching adaptors.F :1TO-220FFEATURES* 6A, 400V, Low RDS(ON) (1.0)* Single Pulse Avalanche Energy Rated* Rugged - SOA is Pow

 9.1. Size:312K  first silicon
 ftk7328.pdf pdf_icon

FTK730F

SEMICONDUCTOR FTK7328 TECHNICAL DATA Dual P-Channel MOSFET D1D2G1 G2DESCRIPTIONThe FTK7328 uses advanced processingS1 S2techniques to achieve extremely low on-resistance.Schematic diagramThis benefit, combined with the ruggedized D 1 D 1 D2 D 28 7 6 5device design that the MOSFETs are well know for.Q7328provides the designer with an extremely efficient41 2

Otros transistores... FTK7000 , FTK7002 , FTK7002D , FTK7002E , FTK7002EN , FTK7002K , FTK7002U , FTK70N06 , IRF540N , FTK730P , FTK7328 , FTK7509 , FTK7510 , FTK7510F , FTK7510P , FTK6014 , FTK6014A .

History: CSD25304W1015 | CWDM305ND

 

 
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