FTK730F Todos los transistores

 

FTK730F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK730F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de FTK730F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FTK730F datasheet

 8.1. Size:391K  first silicon
 ftk730p f.pdf pdf_icon

FTK730F

SEMICONDUCTOR FTK730P / F TECHNICAL DATA MOSFET 6A, 400V, 1.0 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET P 1 DESCRIPTION TO-220 The FTK730 power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching power suppliess, switching adaptors. F 1 TO-220F FEATURES * 6A, 400V, Low RDS(ON) (1.0 ) * Single Pulse Avalanche Energy Rated * Rugged - SOA is Pow

 9.1. Size:312K  first silicon
 ftk7328.pdf pdf_icon

FTK730F

SEMICONDUCTOR FTK7328 TECHNICAL DATA Dual P-Channel MOSFET D1 D2 G1 G2 DESCRIPTION The FTK7328 uses advanced processing S1 S2 techniques to achieve extremely low on-resistance. Schematic diagram This benefit, combined with the ruggedized D 1 D 1 D2 D 2 8 7 6 5 device design that the MOSFETs are well know for. Q7328 provides the designer with an extremely efficient 4 1 2

Otros transistores... FTK7000 , FTK7002 , FTK7002D , FTK7002E , FTK7002EN , FTK7002K , FTK7002U , FTK70N06 , IRF540 , FTK730P , FTK7328 , FTK7509 , FTK7510 , FTK7510F , FTK7510P , FTK6014 , FTK6014A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.