Справочник MOSFET. FTK730F

 

FTK730F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK730F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK730F Datasheet (PDF)

 8.1. Size:391K  first silicon
 ftk730p f.pdf pdf_icon

FTK730F

SEMICONDUCTORFTK730P / FTECHNICAL DATAMOSFET6A, 400V, 1.0 OHM,N-CHANNEL POWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220The FTK730 power MOSFET is designed for high voltage, highspeed power switching applications such as switching powersuppliess, switching adaptors.F :1TO-220FFEATURES* 6A, 400V, Low RDS(ON) (1.0)* Single Pulse Avalanche Energy Rated* Rugged - SOA is Pow

 9.1. Size:312K  first silicon
 ftk7328.pdf pdf_icon

FTK730F

SEMICONDUCTOR FTK7328 TECHNICAL DATA Dual P-Channel MOSFET D1D2G1 G2DESCRIPTIONThe FTK7328 uses advanced processingS1 S2techniques to achieve extremely low on-resistance.Schematic diagramThis benefit, combined with the ruggedized D 1 D 1 D2 D 28 7 6 5device design that the MOSFETs are well know for.Q7328provides the designer with an extremely efficient41 2

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STD30NF03LT4 | SIHG47N60S | PJD7NA65 | 9N95 | AJCS10N65CT | BSZ110N06NS3G | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.