FTK730P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTK730P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 93 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Encapsulados: TO220
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FTK730P datasheet
ftk730p f.pdf
SEMICONDUCTOR FTK730P / F TECHNICAL DATA MOSFET 6A, 400V, 1.0 OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET P 1 DESCRIPTION TO-220 The FTK730 power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching power suppliess, switching adaptors. F 1 TO-220F FEATURES * 6A, 400V, Low RDS(ON) (1.0 ) * Single Pulse Avalanche Energy Rated * Rugged - SOA is Pow
ftk7328.pdf
SEMICONDUCTOR FTK7328 TECHNICAL DATA Dual P-Channel MOSFET D1 D2 G1 G2 DESCRIPTION The FTK7328 uses advanced processing S1 S2 techniques to achieve extremely low on-resistance. Schematic diagram This benefit, combined with the ruggedized D 1 D 1 D2 D 2 8 7 6 5 device design that the MOSFETs are well know for. Q7328 provides the designer with an extremely efficient 4 1 2
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History: FTK730F
History: FTK730F
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