FTK730P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FTK730P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 93 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO220
FTK730P Datasheet (PDF)
ftk730p f.pdf
SEMICONDUCTORFTK730P / FTECHNICAL DATAMOSFET6A, 400V, 1.0 OHM,N-CHANNEL POWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220The FTK730 power MOSFET is designed for high voltage, highspeed power switching applications such as switching powersuppliess, switching adaptors.F :1TO-220FFEATURES* 6A, 400V, Low RDS(ON) (1.0)* Single Pulse Avalanche Energy Rated* Rugged - SOA is Pow
ftk7328.pdf
SEMICONDUCTOR FTK7328 TECHNICAL DATA Dual P-Channel MOSFET D1D2G1 G2DESCRIPTIONThe FTK7328 uses advanced processingS1 S2techniques to achieve extremely low on-resistance.Schematic diagramThis benefit, combined with the ruggedized D 1 D 1 D2 D 28 7 6 5device design that the MOSFETs are well know for.Q7328provides the designer with an extremely efficient41 2
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918