FTK640P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FTK640P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: TO220

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FTK640P datasheet

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FTK640P

SEMICONDUCTOR FTK640P / F TECHNICAL DATA 19.4A, 200V, 0.18 , N-CHANNEL POWER MOSFET P 1 DESCRIPTION TO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. F 1 TO-220F FEATURES * 19.4A, 200V, Low RDS(ON)

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FTK640P

SEMICONDUCTOR FTK6401 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTK6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

Otros transistores... FTK7510F, FTK7510P, FTK6014, FTK6014A, FTK60N04D, FTK60P05S, FTK6401, FTK640F, 10N60, FTK6601, FTK6601S, FTK6808, FTK6N70P, FTK6N70F, FTK6N70I, FTK6N70D, FTK50N06D