FTK640P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FTK640P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FTK640P

FTK640P Datasheet (PDF)

..1. Size:338K first silicon
ftk640p f.pdf

SEMICONDUCTORFTK640P / FTECHNICAL DATA19.4A, 200V, 0.18 , N-CHANNELPOWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 19.4A, 200V, Low RDS(ON)

8.1. Size:287K first silicon
ftk6401.pdf

SEMICONDUCTORFTK6401TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation Gwith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

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Liste

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