FTK640P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTK640P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FTK640P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK640P даташит

 ..1. Size:338K  first silicon
 ftk640p f.pdf pdf_icon

FTK640P

SEMICONDUCTOR FTK640P / F TECHNICAL DATA 19.4A, 200V, 0.18 , N-CHANNEL POWER MOSFET P 1 DESCRIPTION TO-220 The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. F 1 TO-220F FEATURES * 19.4A, 200V, Low RDS(ON)

 8.1. Size:287K  first silicon
 ftk6401.pdf pdf_icon

FTK640P

SEMICONDUCTOR FTK6401 TECHNICAL DATA D DESCRIPTION The FTK6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation G with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. S Schematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

Другие IGBT... FTK7510F, FTK7510P, FTK6014, FTK6014A, FTK60N04D, FTK60P05S, FTK6401, FTK640F, 10N60, FTK6601, FTK6601S, FTK6808, FTK6N70P, FTK6N70F, FTK6N70I, FTK6N70D, FTK50N06D