Справочник MOSFET. FTK640P

 

FTK640P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FTK640P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FTK640P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FTK640P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:338K  first silicon
 ftk640p f.pdf pdf_icon

FTK640P

SEMICONDUCTORFTK640P / FTECHNICAL DATA19.4A, 200V, 0.18 , N-CHANNELPOWER MOSFETP :1DESCRIPTIONTO-220The N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFETis designed for high voltage, high speed power switchingapplications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.F :1TO-220FFEATURES* 19.4A, 200V, Low RDS(ON)

 8.1. Size:287K  first silicon
 ftk6401.pdf pdf_icon

FTK640P

SEMICONDUCTORFTK6401TECHNICAL DATADDESCRIPTION The FTK6401 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation Gwith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. SSchematic diagram GENERAL FEATURES VDS = -20V,ID = -4.3A RDS(ON)

Другие MOSFET... FTK7510F , FTK7510P , FTK6014 , FTK6014A , FTK60N04D , FTK60P05S , FTK6401 , FTK640F , IRFB4227 , FTK6601 , FTK6601S , FTK6808 , FTK6N70P , FTK6N70F , FTK6N70I , FTK6N70D , FTK50N06D .

History: STD5N95K5 | CS4N65P | IRFSL4610 | 7240 | DHF035N04 | AP70T03GJ | NCE65N180

 

 
Back to Top

 


 
.