FTK6601S Todos los transistores

 

FTK6601S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTK6601S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8(4.2) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035(0.065) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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FTK6601S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  first silicon
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FTK6601S

SEMICONDUCTORFTK6601STECHNICAL DATAP-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description The FTK6601S uses advanced trench technology to provide excellent SOP8 and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications.FEATURES Including a N-ch FTK3400 MOS and a P-ch Surface mount package

 7.1. Size:372K  first silicon
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FTK6601S

SEMICONDUCTORFTK6601TECHNICAL DATAP-channel and N-channel Complementary MOSFETS General Description SOT-23-6L The FTK6601 uses advanced trench technology to provide excellent and low gate charge. The complementary MOSFETS form a high-speed power inverter and suitable for a multitude of applications. MARKING: L6601 Maximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted) Value P

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History: IXTH1N300P3HV | AP4959GM | JCS6N90FA | MMFT60R380PCTH | STP3NK80Z | IPB039N10N3GE8187 | FDS6694

 

 
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